台积电推出性能增强的7nm和5nm制造工艺
据anandtech报道,台积电目前已悄然推出7nm深紫外DUV(N7)和5nm极紫外EUV(N5)制造工艺的性能增强(Plus)版本。
台积电新的N7P工艺采用与N7相同的设计规则,优化了前端(FEOL)和中端(MOL),可在相同功率下将性能提升7%,或者在相同的频率下降低10%的功耗。但并没有改变晶体管密度。
N5P同样采用了FEOL和MOL优化功能,在相同功率下使芯片运行速度提高7%,在相同频率下将功耗降低15%。
N7P和N5P技术专为要求7nm芯片运行更快,能耗更低的客户设计。
而对于需要更高晶体管密度的客户,台积电预计将使用N7+N6工艺技术。
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