台积电5nm测试芯片良率达80%,预计明年上半年大规模量产
在IEEE IEDM大会上,台积电官方给出确凿数据,称处于风险试产阶段的5nm测试芯片良品率平均已达80%,最高可超过90%。
不过这些芯片相对简单,如果放到复杂的移动和桌面芯片上,良品率还达不到这么高,但具体数据未公开。
台积电5nm工艺的测试芯片有两种,一种是256Mb SRAM,单元面积包括25000平方纳米的高电流版本、21000平方纳米的高密度版本。
另一种综合了SRAM、CPU/GPU逻辑单元、IO单元,面积占比分别为30%、60%、10%,总面积估计大约17.92平方毫米。
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